高纯硅靶材：薄膜沉积的核心材料

硅靶材是一种用于 PVD镀膜的材料，主要用于沉积氧化硅、氮化硅和氢化硅等介质层。可分为晶硅和Hsi两种，硅靶通常为深灰色，具有半金属的外观，密度约为2.33g/cm³。硅靶熔点为1414'℃，沸点为3265°℃。硅具有较高的导热系数(149W·m1·K-)，导热性良好。此外，硅靶材具有良好的硬度、光学性能和耐磨性，且耐腐蚀性优异。

硅靶材的优异特性

• 高纯度，确保薄膜性能稳定

  晶硅纯度为99.999%，Hsi纯度为99.99%。

• 优异的薄膜均匀性与致密性

       在PVD工艺中，硅靶具有较高的溅射效率，适配多种真空镀膜设备。同时，硅原子与常见衬底（如玻璃、金属、硅片）间具有良好附着性，可形成结构稳定、不易剥落的薄膜，满足高可靠性要求。

• 良好的溅射速率与附着性

       良好的导热性可快速散发靶材表面热量，防止局部过热。同时，导电性是磁控溅射的前提，有助于高效镀膜。

硅靶材的广泛应用

1. 光学器件制造

   高纯度:硅靶因其高纯度能够保证光学器件的清晰、稳定和精度，提高光学器件的性能和可靠性。抗反射层和保护层:在光纤通讯和集成光学电路中，二氧化硅薄膜作为光波导材料，用于传输和处理光信号。

2. 半导体制造

   用于制备LED的衬底和封装材料，提高LED的发光效率和稳定性。

3. 传感器制造

   用于制备传感器的敏感元件和信号处理电路，提高传感器的灵敏度和准确性。