产品介绍
钛靶材作为物理气相沉积(PVD)技术的核心材料,通过其高纯度与精密结构控制,正深度赋能半导体、显示与医疗等战略产业。其技术突破集中体现在材料性能优化、制造工艺革新与应用场景拓展三大维度。
在性能层面,钛靶材通过原子级纯度控制与微观结构调控实现技术领先。半导体级产品纯度达5N6N级别,杂质含量从ppm级降至ppb级,有效避免电迁移失效。密度控制达4.506-4.51g/cm³理论值,配合≤50μm晶粒尺寸,满足EUV光刻对薄膜平整度的严苛需求。
钛靶材的优异特性
良好的力学性能
钛具有高的强度和低的密度,因此钛薄膜在许多结构性应用中具有优越的力学性能。
耐腐蚀性
钛在许多化学环境中具有很好的耐腐蚀性。钛薄膜在海水、酸碱介质等环境中可提供有效的防护。
高温稳定性
钛在高温下具有良好的稳定性,因此钛薄膜在航空航天、核能等高温领域具有广泛的应用。
装饰性
钛可以形成各种颜色的氧化膜,具有良好的装饰性。钛薄膜应用于珠宝、眼镜、钟表等产品的表面处理。
高电阻率
纯钛的电阻率显著高于常用金属导体(如铜、铝)。约 42.0 × 10⁻⁸ Ω·m (420 nΩ·m) (室温下)。具体值受纯度影响极大,高纯度(如4N5)有助于降低电阻率。杂质(尤其是间隙元素O、N、C)会显著增加电阻率。
钛靶材的广泛应用
半导体制造
铜互连的“守护神”:作为阻挡层 ,阻止铜原子侵蚀硅芯片;作为粘附层,确保铜线与底层紧密结合。芯片制程越先进(7nm, 5nm, 3nm…),对钛靶纯度与薄膜质量要求越苛刻,直接关乎芯片良率与性能!
显示面板
①在TFT阵列中充当电极组分(如Mo-Ti)或关键欧姆接触/粘附层。
②为ITO透明电极提供强力附着“地基”。
光伏行业
沉积高纯钛膜或二氧化钛(TiO₂)膜,用于镜头增透膜、滤光片、光催化自洁玻璃等,纯度决定光学性能极限。
技术特性

纯度
99.5%-99.95%

密度
4.506 g/cm³ (20°C)
应用场景
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