产品介绍
碳化硅靶材(SiC Target)是以高纯度碳化硅粉末为原料,耐高温、耐腐蚀,具有优异的化学稳定性和热导率,尤其适合在严苛工况下沉积高性能薄膜。它是半导体、光伏、光学等行业常用的重要功能材料。
碳化硅靶材核心优势
高纯度,薄膜更洁净
采用高纯度 SiC 原料,杂质金属含量 <100 ppm;沉积出的薄膜缺陷点少、颗粒少,电性能和光学性能稳定,适合高端电子器件。
超高硬度与耐磨性
在高功率溅射下不易剥落、不开裂,靶材寿命比普通陶瓷靶延长 30% 以上;减少靶材颗粒污染,提高产线良率。
优异的热导率与抗热震性
能快速散热,允许更高功率密度溅射;不易因冷热冲击导致开裂,适合长时间连续沉积。
组织致密均匀,膜层一致性好
靶材密度高,颗粒分布均匀,沉积速率高、膜厚均匀度好;大尺寸靶材也能保持稳定品质。
碳化硅靶材的主要应用领域
半导体制造
用于功率器件、射频器件、MEMS 传感器等薄膜沉积;通过磁控溅射等工艺形成致密、高绝缘性薄膜,提高器件耐压、耐温与稳定性。
显示面板
在 LCD、OLED、Micro-LED、柔性屏中,用作硬质保护膜或缓冲层;提升屏幕耐刮擦性、化学稳定性,同时保证光学透过率与触控灵敏度。
光伏行业
作为晶体硅或薄膜太阳能电池的抗反射层、保护膜或缓冲层;提高光吸收效率、降低反射损失,并增强电池长期稳定性与耐久性。
光学器件制造
用于透镜、滤光片、棱镜等光学元件表面镀膜;可调控膜层折射率和透光率,实现防反射、滤波或高反射功能,适用于激光光学、航空航天等领域。
装饰镀膜
在手机、手表、汽车内饰及精密零件表面形成高硬度、耐磨膜层;提供美观的金属质感,同时延长产品使用寿命。
技术特性

纯度
99.9%-99.999%

密度
3.21 g/cm³
应用场景
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